STUDY OF GaAs SURFACE AFTER PLASMA ETCHING IN MIXTURES OF HCl/Ar,Cl2,H2 BY AFM
Keywords:
plasma, etching, the mixture, hydrogen chloride, dischargeAbstract
Chlorine containing plasma and its mixture with molecular and inert gases is often used for the formation of topology on a semiconductor surface. In this article, a comparative study of the semiconductor structure surface quality after plasma chemical etching in HCl/Ar,Cl2,H2 mixtures was carried out. The high etching rate in chlorine leads to many undesirable effects, while hydrogen chloride plasma and its mixtures allows to run the etching with better uniformity and purity of the process. Nevertheless, samples surface quality control remains an urgent task of modern electronics. In this paper, the samples surface control was carried out by atomic force microscope Solver - P47Pro.
References
(1) В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. // Материалы электронной техники: уч. для студ. вузов по спец. электронной техники. / СПб.: Лань, 2001, C. 368.
(2) Rawal D.S., Sehgal B. K., Muralidharan R., Malik H.K. // Experimental Study of the Influence of Process Pressure and Gas Composition on GaAs Etching Characteristics in Cl2/BCl3- Based Inductively Coupled Plasma. Plasma Science and Technology. 2011. Vol 13. № 2. P. 223–229. https://doi.org/10.1088/1009-0630/13/2/19
(3) Дунаев А.В., Пивоваренок С.А., Ефремов А.М., Светцов В.И. // Кинетика травления GaAs в хлорной плазме. Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 2010. Т. 53. Вып. 5. С. 53–56.
(4) Дунаев А.В., Пивоваренок С.А., Семенова О.А., Капинос С.П., Ефремов А.М., Светцов В.И. // Кинетика и механизмы плазмохимического травления GaAs в хлоре и хлороводороде. Физика и xимия обработки материалов. 2010, № 6, С. 42–46.
(5) Дунаев А.В., Пивоваренок С.А., Ефремов А.М., Светцов В.И. // Спектральное исследование травления арсенида галлия в плазме HCl. Микроэлектроника. 2011. Т.40. №6. С. 413–417.
(6) Корякин Ю.В., Ангелов И.И. // Чистые химические вещества. / М.: Химия, 1974. С. 408.
(7) Дунаев А.В., Пивоваренок С.А., Ефремов А.М., Светцов В.И. // Плазменное наноразмерное травление GaAs в хлоре и хлороводороде. Нанотехника. 2011. Т.25. Вып. 1. С. 69–72.
