ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТИ GaAs ПОСЛЕ ТРАВЛЕНИЯ В ПЛАЗМЕ ФРЕОНА R12, МЕТОДОМ АСМ

Авторы

  • Д.Б. Мурин НИИ Термодинамики и кинетики химических процессов Ивановского государственного химико-технологического университета 153000 Иваново, пр. Ф. Энгельса, 7
  • А.В. Дунаев НИИ Термодинамики и кинетики химических процессов Ивановского государственного химико-технологического университета 153000 Иваново, пр. Ф. Энгельса, 7
  • С.А. Пивоваренок НИИ Термодинамики и кинетики химических процессов Ивановского государственного химико-технологического университета 153000 Иваново, пр. Ф. Энгельса, 7
  • Д.А. Алякин НИИ Термодинамики и кинетики химических процессов Ивановского государственного химико-технологического университета 153000 Иваново, пр. Ф. Энгельса, 7

Ключевые слова:

травление в плазме, фреон, атомно-силовая микроскопия, плазмохимические процессы, плазмообразующий газ

Аннотация

Было проведено плазменное травление арсенида галлия в фреоне R-12 ВЧ-разряда. Показано, что корректировка параметров, таких как время обработки и смещения потенциала образца определяют качество будущей полупроводниковой структуры. Тем не менее, качества контроля поверхности образцов остается актуальной задачей современной электроники. В этой статье, контроль поверхности образцов проводили с помощью атомно силового микроскопа Solver - P47Pro.

Библиографические ссылки

(1) Lakdawala V.K., Ko S.T., Albin S. // Bull. Am. Phys. Soc. 1988. V. 33. P.145.

(2) В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. // Материалы электронной техники: уч. для студ. вузов по спец. электронной техники. / СПб.: Лань, 2001, C. 368.

(3) Rawal D. S., Sehgal B. K., Muralidharan R., Malik H. K. // Experimental Study of the Influence of Process Pressure and Gas Composition on GaAs Etching Characteristics in Cl2/BCl3 – Based Inductively Coupled Plasma. Plasma Science and Technology. 2011. V. 13. № 2. P. 223-229.

(4) Дунаев А.В., Пивоваренок С.А., Семенова О.А., Капинос С.П., Ефремов А.М., Светцов В.И. // Кинетика и механизмы плазмохимического травления GaAs в хлоре и хлороводороде. Физика и xимия обработки материалов. 2010, № 6, С. 42-46.

(5) Efremov A.M., Pivovarenok S.A., Svettsov V.I. // Kinetics and Mechanism of Cl2 or HCl Plasma Etching of Copper. Thin Films. 2007. V.36. №6. P. 358-365.

Загрузки

Опубликован

20-12-2015

Как цитировать

Мурин, Д., Дунаев, А., Пивоваренок, С., & Алякин, Д. (2015). ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТИ GaAs ПОСЛЕ ТРАВЛЕНИЯ В ПЛАЗМЕ ФРЕОНА R12, МЕТОДОМ АСМ. Горение и плазмохимия, 13(4), 265–270. извлечено от https://cpc-journal.kz/index.php/cpcj/article/view/344

Выпуск

Том 13 № 4 (2015): ГОРЕНИЕ И ПЛАЗМОХИМИЯ

Раздел

Статьи

Лицензия

Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.