ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТИ GaAs ПОСЛЕ ПЛАЗМЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ В СМЕСЯХ HCl/Ar,Cl2,H2 МЕТОДОМ АСМ

Авторы

  • А.В. Дунаев НИИ Термодинамики и кинетики химических процессов Ивановского государственного химико-технологического университета, 153000 Иваново, пр. Ф. Энгельса, 7
  • Д.А. Алякин НИИ Термодинамики и кинетики химических процессов Ивановского государственного химико-технологического университета, 153000 Иваново, пр. Ф. Энгельса, 7

Ключевые слова:

плазма, травление, смеси, хлороводород, разряд

Аннотация

Хлор, содержащийся в плазме и его смесь с молекулярными и инертными газами часто используется для формирования топологии на поверхности полупроводника. Проведено сравнительное исследование качества полупроводниковой структуры поверхности после плазмохимического травления смесей HCl/Ar, Cl2 и H2. Высокая скорость травления хлором приводит ко многим нежелательным последствиям, в то время как в плазме хлористого водорода и его смесей позволяет запускать травление с лучшей однородностью и чистотой процесса. Тем не менее, контроль качества поверхности остается актуальной задачей современной электроники. В данной работе контроль поверхности образцов проводился методом атомно силового микроскопа Solver - P47Pro.

Библиографические ссылки

(1) В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. // Материалы электронной техники: уч. для студ. вузов по спец. электронной техники. / СПб.: Лань, 2001, C. 368.

(2) Rawal D.S., Sehgal B. K., Muralidharan R., Malik H.K. // Experimental Study of the Influence of Process Pressure and Gas Composition on GaAs Etching Characteristics in Cl2/BCl3- Based Inductively Coupled Plasma. Plasma Science and Technology. 2011. Vol 13. № 2. P. 223–229. https://doi.org/10.1088/1009-0630/13/2/19

(3) Дунаев А.В., Пивоваренок С.А., Ефремов А.М., Светцов В.И. // Кинетика травления GaAs в хлорной плазме. Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 2010. Т. 53. Вып. 5. С. 53–56.

(4) Дунаев А.В., Пивоваренок С.А., Семенова О.А., Капинос С.П., Ефремов А.М., Светцов В.И. // Кинетика и механизмы плазмохимического травления GaAs в хлоре и хлороводороде. Физика и xимия обработки материалов. 2010, № 6, С. 42–46.

(5) Дунаев А.В., Пивоваренок С.А., Ефремов А.М., Светцов В.И. // Спектральное исследование травления арсенида галлия в плазме HCl. Микроэлектроника. 2011. Т.40. №6. С. 413–417.

(6) Корякин Ю.В., Ангелов И.И. // Чистые химические вещества. / М.: Химия, 1974. С. 408.

(7) Дунаев А.В., Пивоваренок С.А., Ефремов А.М., Светцов В.И. // Плазменное наноразмерное травление GaAs в хлоре и хлороводороде. Нанотехника. 2011. Т.25. Вып. 1. С. 69–72.

Загрузки

Опубликован

20-04-2015

Как цитировать

Дунаев, А., & Алякин, Д. (2015). ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТИ GaAs ПОСЛЕ ПЛАЗМЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ В СМЕСЯХ HCl/Ar,Cl2,H2 МЕТОДОМ АСМ. Горение и плазмохимия, 13(2), 148–153. извлечено от https://cpc-journal.kz/index.php/cpcj/article/view/323

Наиболее читаемые статьи этого автора (авторов)