Бейсенов Р, Мансуров З, Токмолдин С, Игнатьев А. Эпитаксиальный рост пленок 3C-SiC на подложках сапфира (0001) и кремния (111) методом металлоорганического парового химического осаждения. ГиП [Internet]. 2012 Dec. 20 [cited 2025 Oct. 20];10(4):268-75. Available from: https://cpc-journal.kz/index.php/cpcj/article/view/665