Бейсенов, Р.Е., З.А. Мансуров, С.Ж. Токмолдин, and А. Игнатьев. “Эпитаксиальный рост пленок 3C-SiC на подложках сапфира (0001) и кремния (111) методом металлоорганического парового химического осаждения”. Горение и плазмохимия 10, no. 4 (December 20, 2012): 268–275. Accessed October 20, 2025. https://cpc-journal.kz/index.php/cpcj/article/view/665.