Р. Бейсенов, З. Мансуров, С. Токмолдин, and А. Игнатьев, “Эпитаксиальный рост пленок 3C-SiC на подложках сапфира (0001) и кремния (111) методом металлоорганического парового химического осаждения”, ГиП, vol. 10, no. 4, pp. 268–275, Dec. 2012, Accessed: Dec. 23, 2025. [Online]. Available: https://cpc-journal.kz/index.php/cpcj/article/view/665