[1]
Р. Бейсенов, З. Мансуров, С. Токмолдин, and А. Игнатьев, “Эпитаксиальный рост пленок 3C-SiC на подложках сапфира (0001) и кремния (111) методом металлоорганического парового химического осаждения”, ГиП, vol. 10, no. 4, pp. 268–275, Dec. 2012, doi: 10.18321/.