Бейсенов, Р. (2012) “Эпитаксиальный рост пленок 3C-SiC на подложках сапфира (0001) и кремния (111) методом металлоорганического парового химического осаждения”, Горение и плазмохимия, 10(4), pp. 268–275. doi:10.18321/.