БЕЙСЕНОВ, Р.Е.; МАНСУРОВ, З.А.; ТОКМОЛДИН, С.Ж.; ИГНАТЬЕВ, А. Эпитаксиальный рост пленок 3C-SiC на подложках сапфира (0001) и кремния (111) методом металлоорганического парового химического осаждения. Горение и плазмохимия, [S. l.], v. 10, n. 4, p. 268–275, 2012. DOI: 10.18321/. Disponível em: https://cpc-journal.kz/index.php/cpcj/article/view/665. Acesso em: 20 oct. 2025.