Бейсенов, Р., Мансуров, З., Токмолдин, С., & Игнатьев, А. (2012). Эпитаксиальный рост пленок 3C-SiC на подложках сапфира (0001) и кремния (111) методом металлоорганического парового химического осаждения. Горение и плазмохимия, 10(4), 268-275. https://doi.org/10.18321/