Бейсенов Р, Мансуров З, Токмолдин С, Игнатьев А. Эпитаксиальный рост пленок 3C-SiC на подложках сапфира (0001) и кремния (111) методом металлоорганического парового химического осаждения. Горение и плазмохимия. 2012;10(4):268-275. Accessed February 25, 2026. https://cpc-journal.kz/index.php/cpcj/article/view/665