1.
Бейсенов Р, Мансуров З, Токмолдин С, Игнатьев А. Эпитаксиальный рост пленок 3C-SiC на подложках сапфира (0001) и кремния (111) методом металлоорганического парового химического осаждения. ГиП. 2012;10(4):268-275. doi:10.18321/