Бейсенов, Р.; Мансуров, З.; Токмолдин, С.; Игнатьев, А. Эпитаксиальный рост пленок 3C-SiC на подложках сапфира (0001) и кремния (111) методом металлоорганического парового химического осаждения. ГиП 2012, 10 (4), 268-275. https://doi.org/10.18321/.