Бейсенов, Р. et al. 2012. Эпитаксиальный рост пленок 3C-SiC на подложках сапфира (0001) и кремния (111) методом металлоорганического парового химического осаждения. Горение и плазмохимия. 10, 4 (Dec. 2012), 268–275. DOI:https://doi.org/10.18321/.