Плазмостимулированное aтомно-слоевое осаждение в технологиях создания структур наноэлектроники - Руденко, К.Ф.; Орликовский, А.А. (Горение и плазмохимия, 2014)
Развитие плазменных ALD технологий для применений в наноэлектронике является следствием масштабирования интегральных приборов ИС в область нанометровых размеров. Рассмотрены физико-химические принципы, лежащие в основе процессов атомно-слоевого осаждения, которые включают стимулирование плазмой газа II-прекурсора гетерогенных реакций, самоограничивающихся в монослое I-прекурсора на поверхности подложки. Продемонстрированы преимущества и ограничения метода ALD в сравнении с традиционным плазмостимулированным осаждением PECVD из объема плазмы. Проанализированы особенности плазмохимических реакторов для ALD процессов, методы in situ диагностики атомно-слоевого роста пленок. Дан обзор существующих PEALD технологий роста диэлектрических, полупроводниковых и металлических слоев, имеющих перспективы использования в приборных структурах наноэлектроники.