РЕНТГЕНОВСКАЯ РЕФЛЕКТОМЕТРИЯ ПЛЕНОК YSZ ОСАЖДЕННЫХ НА ПОДЛОЖКАХ SI (100) МЕТОДОМ ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО ОСАЖДЕНИЯ - Бейсенов, Р.Е.; Умирзаков, А.Г.; Мереке, А.Л.; Сеитов, Б.Ж.; Бейсенханов, Н.Б.; Нусупов, К.Х. (Горение и плазмохимия, 2016)
Осаждение тонких слоев YSZ на Si (100) проводилось на установке импульсного лазерного осаждения компании «PVD». Пленки были осаждены при температуре 550, 600, 650, 700, 800 °С, энергии накачки эксимерного УФ лазера 237 мДж, частоте 10 Гц и времени 60 минут. Измерение толщины, плотности и шершавости осажденных пленок YSZ было проведено методом рентгеновской рефлектометрии на многофункциональном рентгеновском комплексе ComplexRay C6, предназначенном для диагностики тонких пленок и наноструктур. Компьютерное моделирование данных рентгеновской рефлектометрии было проведено с помощью специализированных программ Henke и Release. Проведены оценки величины плотности пленки YSZ после отжига при температуре 550 °С в течение 60 минут. Плотность пленки равна 5,637 г/см3 и составляет промежуточное значение между плотностями Y2O3 5,01 г/см3 и ZrO2 к 5,68 г/см3. Толщина пленки YSZ после отжига при температуре 550 °С в течение 60 минут оказалась равна 177 нм. При повышении темпе-ратуры до 700-800 °С толщина пленок варьируется от 140 до 200 нм независимо от температуры подложки при времени осаждения 60 минут и частоты лазера 20 Гц. Установлено, что плотность пленок также является различной для всех образцов и находиться между значениями 5.6-6.0 г/см3. Рентгеновская дифракция пленки диоксида циркония, стабилизированного 8 % оксидом иттрия показала присутствие линии моноклинного (2θ = 27,946°) и тетрагонального (2θ = 33,1°, 48,1° и 57,2°) оксида циркония.