ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТИ GaAs ПОСЛЕ ТРАВЛЕНИЯ В ПЛАЗМЕ ФРЕОНА R12, МЕТОДОМ АСМ - Мурин, Д.Б.; Дунаев, А.В.; Пивоваренок, С.А.; Алякин, Д.А. (Горение и плазмохимия, 2015)
Было проведено плазменное травление арсенида галлия в фреоне R-12 ВЧ-разряда. Показано, что корректировка параметров, таких как время обработки и смещения потенциала образца определяют качество будущей полупроводниковой структуры. Тем не менее, качества контроля поверхности образцов остается актуальной задачей современной электроники. В этой статье, контроль поверхности образцов проводили с помощью атомно силового микроскопа Solver - P47Pro.