СЭМ ИССЛЕДОВАНИЯ НАНОСТРУКТУР SiC и C, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МВ-ХОГФ - Кенжегулов, А.; Медянова, Б.С.; Сабитов, С.; Партизан, Г.; Мансуров, Б.З.; Алиев, Б.А. (Горение и плазмохимия, 2015)
В статье представлены результаты экспериментов по синтезу наноструктур SiC и C методом химического осаждения из газовой фазы в микроволновой плазме. В качестве подложек использовались пластины полированного монокристаллического и пористого кремния. Исследования методом сканирующей электронной микроскопии показали, что образовавшиеся наноструктуры имеют диаметр 200-350 нм и шероховатую поверхность. Образование наноструктур на полированном Si происходит на буферном слое SiC. Анализ результатов сканирующей электронной микроскопии образцов показывает, что в отличии от полированного Si рост наноструктур на поверхности пористого кремния носит более массовый характер. Результаты исследований методом комбинационного рассеяния света подтвердили, что на полированном Si образуется плёнка карбида кремния со структурой политипа 3С-SiC. Также можно отметить присутствие основных углеродных пиков в пределах 1338.2 и 1583 см-1, которые соответствуют углеродным наноструктурам на обоих типах подложек.