«Эпитаксиалды сапфир субстрат үшін 3C-SiC астарының өсуі (0001) және Si (111) металорганикалық химиялық тұндыру жолымен» қаралуда

Контакты: Редакция журнала "Горение и плазмохимия", Институт проблем горения, ул. Богенбай батыра 172. E-mail: cpc.journal.icp@gmail.com